红外焦平面芯片2μm铟凸点高效制备
铟凸点制备是红外焦平面高密度封装的重点工艺，5μm 以下铟凸点工艺装备技术自主保障是下一代红外器件研制生产的迫切需求。
绍氪激光针对2–10 μm范围铟凸点批量制备进行了激光微凸点打印工艺试验与器件互连验证。实现了凸点尺寸 2 μm、规模 640×512 的红外焦平面芯片阵列激光驱动微滴打印制备与封装互连性能验证，通过应用单位的装机连通测试考核。
与现有光刻-蒸镀工艺相比，激光驱动微滴打印铟凸点制备效率显著提升5000个/秒，工序从传统9道减少为 2 道，时间从数天加快至数小时；将半导体工艺设备（9 台）精简为 1 台，无掩膜激光直写实现不同规格铟凸点柔性制备；显著缩小制造铟凸点节距，克服5μm以下光刻孔蒸镀堵塞瓶颈，是下一代超高密度红外铟凸点工艺升级换代的方向。
